Die Abbildung zeigt einen Teil eines Wafer-Querschnitts nach Fertigstellung. Die
Wolfram-Vias, die den elektrischen Kontakt zum GMR-Schichtstapel herstellen,
werden vor dem Aufbringen des Stapels durch eine dünne Ruthenium-Schicht vor
Oxidation geschützt. Die Leiterbahnen aus einer Aluminium-Kupfer-Legierung
werden über Drähte mit dem Trägerchip verbunden. Ohne äußeres Magnetfeld
steht die Magnetisierung (weiße Pfeile) der beiden magnetischen Schichten
senkrecht zueinander. Die Magnetisierung des free layers kann aber durch ein
senkrechtes Magnetfeld (H) parallel zu der des pinning layers gedreht werden.
Der Strom, der in Form von Elektronen (blaue Punkte) durch die dünne
Kupfer-Schicht fließt, wird dadurch messbar beeinflusst, wie es das Diagramm
oberhalb schematisch zeigt. Der elektrische Widerstand des Sensorelements hängt
nahezu linear von der Stärke und Richtung des äußeren Magnetfelds ab.
(Darstellung ist nicht maßstabsgetreu.)
[Quelle: Fabian Ganss, Universität Augsburg]